La samsung DRAM planea en 15 nano fase el próximo año

Autor: 英迈思
Fuente: 网络
Fecha: 2013-11-29

Rumores de samsung a la sólida posición de liderazgo, a la producción en la segunda mitad del próximo año, 15, 16 DRAM, el rival SK Hynix y Micron se quedó muy atrás, la brecha tecnológica de alrededor de un año y medio.


BusinessKorea 31, la industria de semiconductores, de acuerdo con la producción de Samsung a principios de este año 18 nm proceso DRAM departamento de memoria, la producción de preparación en la segunda mitad del próximo año, 15, 16 nano DRAM.At al mismo tiempo, la empresa aumentará 18 nm DRAM total Proporción de la producción de DRAM, el objetivo en la segunda mitad del próximo año a 30 ~ 40% .El personaje relevante dice, de 10 nanómetros de grado DRAM, el próximo año representará la mitad de la DRAM total.


TrendForce La marca DRAMeXchange de DRAMeXchange (semiconductores globales) estimó que la actual producción de DRAM de Samsung tiene prioridad con 20 nanómetros, representó el 82%, sólo el 12% 18 nm.


Samsung proceso progreso en miniatura más rápidamente de lo esperado anteriormente, el departamento de almacenamiento supervisor Chung Eun ya sugirió que a principios del año pasado, 2020 a 10 nanómetros de grado DRAM, la producción en masa ahora, al parecer, puede lograr resultados debe ser el comienzo de 2019.


Samsung DRAM es dominante, los datos muestran que el segundo trimestre de este año samsung DRAM cuota de mercado tan alto como 46,6% .Rival SK hynix DRAM y el proceso de luz sigue en el nivel nanométrico 20, hasta después del segundo trimestre del próximo año comenzará la producción de 18 nm DRAM, la brecha tecnológica entre alrededor de un año a un año y medio.

 

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