Intel para lanzar DC P3100 SSD: 3 d TLC flash de escritura de hasta 55 MB / s

Autor: 英迈思
Fuente: 网络
Fecha: 2016-11-02


En agosto, cuando Intel todos los 6 de SSD nuevos productos lanzados, la cara de lectura de los consumidores, incorporado, mercado diferente, como comercial comenzó actualización completa 3 d memoria flash NAND.Recently, Intel introdujo el centro de datos orientado al mercado de nivel de entrada SSD DC P3100 serie, El funcionario dijo que era el primer m. 2 especificaciones, basadas en el centro de datos de disco duro PCI-E, utilizando la memoria flash NAND de 3 días TLC, velocidad de lectura de 1800 MB / s, la velocidad de escritura es de 55-175 MB / s - lee bien, es el más alto 175 MB / S, los 55 MB / s más bajos.
DC serie P es Intel en vista de la SSD disco duro centro de datos del mercado, es el principal DC serie P3000, antes de PCI-E o U 2 especificaciones, DC P3100 es el primer m. 2 especificaciones, para comenzar con 3 d memoria flash NAND también, ahora que es el producto de nivel de entrada, utilizando TLC flash no también lo accidente.
Esta serie de capacidad de 128 gb, 256 gb y 512 gb y 1 TB, cuatro propiedades la versión más potente 1 TB, velocidad de lectura 1800 MB / s, velocidad de escritura 175 MB / s - también se puede leer el rendimiento, pero la velocidad de escritura es Un poco demasiado bajo, pero eso no es lo peor, la versión de 128 gb de velocidad de lectura de 720 MB / s, la velocidad de escritura es de sólo 55 MB / s, aleatorio 4 k lee 270000 IOPS, al azar escribir sólo 2200 IOPS.

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